3개의 KT315 트랜지스터를 갖춘 증폭기. KT315의 간단한 회로. 직접 커플링을 갖춘 트랙 캐스케이드 ULF

저주파 증폭기(LF)는 변환하는 데 사용됩니다. 약한 신호주로 오디오 범위에서 전기 역학 또는 기타 사운드 방출기를 통해 직접 인식할 수 있는 보다 강력한 신호로 변환됩니다.

최대 10~100MHz의 고주파 증폭기는 유사한 회로에 따라 제작되며, 이러한 증폭기의 커패시터의 커패시턴스 값이 고주파 신호의 주파수가 저주파 신호의 주파수를 초과합니다.

하나의 트랜지스터로 구성된 간단한 증폭기

공통 이미 터가있는 회로에 따라 만들어진 가장 간단한 ULF가 그림 1에 나와 있습니다. 1. 전화 캡슐이 부하로 사용됩니다. 이 증폭기에 허용되는 공급 전압은 3~12V입니다.

바이어스 저항 R1(수십 kOhms)의 값은 실험적으로 결정하는 것이 좋습니다. 최적의 값은 증폭기의 공급 전압, 전화 캡슐의 저항 및 특정 트랜지스터의 전송 계수에 따라 달라지기 때문입니다.

쌀. 1. 하나의 트랜지스터 + 커패시터 및 저항에 대한 간단한 ULF 회로.

저항 R1의 초기 값을 선택하려면 해당 값이 부하 회로에 포함된 저항보다 약 100배 이상 커야 한다는 점을 고려해야 합니다. 바이어스 저항을 선택하려면 직렬로 연결하는 것이 좋습니다. 일정한 저항 20...30 kOhm의 저항과 100...1000 kOhm의 가변 저항을 가진 후, 예를 들어 테이프 레코더 또는 플레이어의 작은 진폭 오디오 신호를 증폭기의 입력에 적용하여 달성하기 위해 가변 저항 손잡이를 회전 최고의 품질가장 높은 볼륨으로 신호를 보냅니다.

전이 커패시터 C1(그림 1)의 커패시턴스 값 범위는 1~100μF입니다. 이 커패시턴스 값이 클수록 ULF가 증폭할 수 있는 주파수는 더 낮습니다. 증폭 기술을 익히려면 저주파요소 값 선택과 증폭기 작동 모드를 실험해 보는 것이 좋습니다(그림 1 - 4).

향상된 단일 트랜지스터 증폭기 옵션

그림 1의 다이어그램에 비해 더 복잡하고 개선되었습니다. 1개의 증폭기 회로가 그림 1에 나와 있습니다. 2와 3. 그림의 다이어그램에서. 2 증폭단에는 주파수 의존형 네거티브 체인이 추가로 포함되어 있습니다. 피드백(저항 R2 및 커패시터 C2)를 사용하여 신호 품질을 향상시킵니다.

쌀. 2. 주파수 의존형 네거티브 피드백 체인을 갖춘 단일 트랜지스터 ULF의 다이어그램.

쌀. 3. 트랜지스터 베이스에 바이어스 전압을 공급하기 위한 분배기가 있는 단일 트랜지스터 증폭기.

쌀. 4. 트랜지스터 베이스에 대한 자동 바이어스 설정 기능이 있는 단일 트랜지스터 증폭기.

그림의 다이어그램에서. 그림 3에서, 트랜지스터 베이스에 대한 바이어스는 분배기를 사용하여 더욱 "견고하게" 설정되어 작동 조건이 변경될 때 증폭기의 작동 품질을 향상시킵니다. 증폭 트랜지스터를 기반으로 한 "자동" 바이어스 설정이 그림 1의 회로에 사용됩니다. 4.

2단 트랜지스터 증폭기

두 개의 단순 증폭 단계를 직렬로 연결하면(그림 1), 2단계 ULF를 얻을 수 있습니다(그림 5). 이러한 증폭기의 이득은 개별 단계의 이득 계수를 곱한 것과 같습니다. 그러나 이후 단계 수의 증가에 따라 크고 안정적인 이득을 얻는 것은 쉽지 않습니다. 증폭기는 대부분 자체 여기될 가능성이 높습니다.

쌀. 5. 간단한 2단 저주파 증폭기의 회로.

저주파 증폭기의 새로운 개발(잡지 페이지에 종종 다이어그램이 제공됨) 최근 몇 년, 최소 비선형 왜곡 요소 달성, 출력 전력 증가, 증폭 주파수 대역 확장 등의 목표를 추구합니다.

동시에 설정 중에 다양한 장치실험을 수행하려면 몇 분 안에 조립할 수 있는 간단한 ULF가 필요한 경우가 많습니다. 이러한 증폭기는 최소한의 희소 요소를 포함해야 하며 공급 전압 및 부하 저항의 광범위한 변화에 걸쳐 작동해야 합니다.

전계 효과 및 실리콘 트랜지스터를 기반으로 한 ULF 회로

스테이지 간 직접 결합을 갖춘 간단한 저주파 전력 증폭기의 회로가 그림 1에 나와 있습니다. 6 [규칙 3/00-14]. 증폭기의 입력 임피던스는 전위차계 R1의 정격에 따라 결정되며 수백 옴에서 수십 메그옴까지 다양합니다. 2~4Ω에서 64Ω 이상의 저항을 갖는 부하를 증폭기 출력에 연결할 수 있습니다.

고저항 부하의 경우 KT315 트랜지스터를 VT2로 사용할 수 있습니다. 증폭기는 공급 전압이 0.6V로 감소된 경우에도 허용 가능한 성능이 유지되지만 3~15V의 공급 전압 범위에서 작동합니다.

커패시터 C1의 커패시턴스는 1~100μF 범위에서 선택할 수 있습니다. 후자의 경우(C1 = 100μF) ULF는 50Hz ~ 200kHz 이상의 주파수 대역에서 작동할 수 있습니다.

쌀. 6. 계획 간단한 증폭기두 개의 트랜지스터에서 저주파.

ULF 입력 신호의 진폭은 0.5~0.7V를 초과해서는 안 됩니다. 증폭기의 출력 전력은 부하 저항과 공급 전압의 크기에 따라 수십 mW에서 W 단위까지 달라질 수 있습니다.

증폭기 설정은 저항 R2 및 R3 선택으로 구성됩니다. 이들의 도움으로 트랜지스터 VT1의 드레인 전압은 전원 전압의 50...60%와 동일하게 설정됩니다. 트랜지스터 VT2는 방열판(라디에이터)에 설치해야 합니다.

직접 커플링을 갖춘 트랙 캐스케이드 ULF

그림에서. 그림 7은 캐스케이드 간 직접 연결이 있는 단순해 보이는 또 다른 ULF의 다이어그램을 보여줍니다. 이런 소통이 좋아진다 주파수 특성저주파 영역의 증폭기에서는 회로 전체가 단순화됩니다.

쌀. 7. 단계 간 직접 연결이 가능한 3단계 ULF의 개략도.

동시에 각 증폭기 저항을 개별적으로 선택해야 하기 때문에 증폭기 튜닝이 복잡해집니다. 대략적으로 저항 R2와 R3, R3과 R4, R4와 R BF의 비율은 (30~50)~1 범위에 있어야 합니다. 저항 R1은 0.1~2kΩ이어야 합니다. 그림에 표시된 증폭기 계산 7은 문헌(예: [R 9/70-60])에서 찾을 수 있습니다.

바이폴라 트랜지스터를 사용한 캐스케이드 ULF 회로

그림에서. 그림 8과 9는 바이폴라 트랜지스터를 사용한 캐스코드 ULF의 회로를 보여줍니다. 이러한 증폭기는 상당히 높은 이득 Ku를 갖습니다. 그림의 증폭기 8은 30Hz에서 120kHz까지의 주파수 대역에서 Ku=5를 갖습니다[MK 2/86-15]. 그림의 다이어그램에 따른 ULF. 1% 미만의 고조파 계수를 갖는 9의 이득은 100 [RL 3/99-10]입니다.

쌀. 8. 게인 = 5인 2개의 트랜지스터에 ULF를 캐스케이드합니다.

쌀. 9. 게인 = 100인 2개의 트랜지스터에 ULF를 캐스케이드합니다.

3개의 트랜지스터를 갖춘 경제적인 ULF

휴대용 전자기기의 경우 중요한 매개변수 ULF의 효율성입니다. 이러한 ULF의 다이어그램이 그림 1에 나와 있습니다. 10 [RL 3/00-14]. 여기서는 전계 효과 트랜지스터 VT1과 바이폴라 트랜지스터 VT3 및 트랜지스터 VT2는 VT1 및 VT3의 작동 지점을 안정화하는 방식으로 켜집니다.

입력 전압이 증가함에 따라 이 트랜지스터는 VT3의 이미터-베이스 접합을 션트하고 트랜지스터 VT1 및 VT3을 통해 흐르는 전류 값을 감소시킵니다.

쌀. 10. 간단한 계획 경제적인 증폭기세 개의 트랜지스터에 LF가 있습니다.

위 회로(그림 6 참조)에서와 같이 이 ULF의 입력 저항은 수십 옴에서 수십 메그옴 범위로 설정될 수 있습니다. TK-67 또는 TM-2V와 같은 전화 캡슐이 부하로 사용되었습니다. 플러그를 사용하여 연결된 전화 캡슐은 동시에 회로의 전원 스위치 역할을 할 수 있습니다.

ULF 공급 전압 범위는 1.5 ~ 15V이지만 공급 전압이 0.6V로 감소하더라도 장치의 기능은 유지됩니다. 2...15V의 공급 전압 범위에서 증폭기가 소비하는 전류는 다음과 같습니다. 다음 표현으로 설명됩니다.

1(μA) = 52 + 13*(업피트)*(업피트),

여기서 Upit은 볼트(V) 단위의 공급 전압입니다.

트랜지스터 VT2를 끄면 장치에서 소비하는 전류가 몇 배나 증가합니다.

스테이지 간 직접 결합이 가능한 2단 ULF

직접 연결 및 최소한의 작동 모드 선택을 갖춘 ULF의 예는 그림 1에 표시된 회로입니다. 11 - 14. 게인이 높고 안정성이 좋습니다.

쌀. 11. 마이크를 위한 간단한 2단계 ULF(저잡음 레벨, 고이득).

쌀. 12. KT315 트랜지스터를 사용하는 2단 저주파 증폭기.

쌀. 13. KT315 트랜지스터를 사용하는 2단계 저주파 증폭기 - 옵션 2.

마이크 증폭기(그림 11)는 낮은 수준의 자체 잡음과 높은 이득을 특징으로 합니다[MK 5/83-XIV]. VM1 마이크로폰은 전기역학형 마이크로폰을 사용하였다.

전화 캡슐은 마이크 역할도 할 수 있습니다. 그림 1의 증폭기 동작점 안정화(입력 트랜지스터 베이스의 초기 바이어스) 11-13은 두 번째 증폭 단계의 이미터 저항 양단의 전압 강하로 인해 수행됩니다.

쌀. 14. 전계 효과 트랜지스터를 갖춘 2단계 ULF.

높은 입력 저항(약 1MOhm)을 갖는 증폭기(그림 14)는 전계 효과 트랜지스터 VT1(소스 팔로워)과 바이폴라 트랜지스터 VT2(공통 트랜지스터 포함)로 만들어집니다.

캐스케이드 저주파 증폭기 전계 효과 트랜지스터역시 높은 입력 임피던스를 갖는 가 그림 1에 나와 있습니다. 15.

쌀. 15. 두 개의 전계 효과 트랜지스터를 사용하는 간단한 2단계 ULF 회로.

저옴 부하 작업을 위한 ULF 회로

낮은 임피던스 부하에서 작동하고 수십 mW 이상의 출력 전력을 갖도록 설계된 일반적인 ULF가 그림 1에 나와 있습니다. 16, 17.

쌀. 16. 낮은 저항 부하로 작업하기 위한 간단한 ULF입니다.

전기역학적 헤드 BA1은 그림 1과 같이 증폭기의 출력에 연결될 수 있습니다. 16 또는 브릿지 대각선 방향(그림 17). 전원이 두 개의 직렬 연결된 배터리(어큐뮬레이터)로 구성된 경우 다이어그램에 따른 헤드 BA1의 오른쪽 출력은 커패시터 SZ, C4 없이 중간점에 직접 연결할 수 있습니다.

쌀. 17. 브리지 대각선에 저저항 부하를 포함하는 저주파 증폭기 회로.

간단한 튜브 ULF용 회로가 필요한 경우 하나의 튜브를 사용하여 이러한 증폭기를 조립할 수 있습니다. 해당 섹션의 전자 웹 사이트를 참조하십시오.

문학: Shustov M.A. 실제 회로 설계(1권), 2003.

출판물 수정 사항:그림에서 16 및 17에서는 다이오드 D9 대신 다이오드 체인이 설치됩니다.

대부분의 오디오 애호가는 매우 단호하며 장비를 선택할 때 타협할 준비가 되어 있지 않으며 인식된 사운드가 깨끗하고 강력하며 인상적이어야 한다고 믿습니다. 이것을 달성하는 방법은 무엇입니까?

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아마도 이 문제를 해결하는 주요 역할은 증폭기 선택에 있을 것입니다.
기능
앰프는 사운드 재생의 품질과 성능을 담당합니다. 동시에 구매할 때 오디오 장비 생산에 첨단 기술이 도입되었음을 나타내는 다음 지정에 주의해야 합니다.


  • 하이파이. 외부 소음과 왜곡이 없는 사운드의 최대 순도와 정확성을 제공합니다.
  • 하이엔드. 자신이 좋아하는 음악 작품의 가장 작은 뉘앙스를 식별하는 즐거움을 위해 기꺼이 많은 비용을 지불하려는 완벽주의자의 선택입니다. 손으로 조립한 장비는 종종 이 범주에 포함됩니다.

주의해야 할 사양은 다음과 같습니다.

  • 입구와 출력 파워. 정격 출력 전력은 결정적으로 중요합니다. 가장자리 값은 종종 신뢰할 수 없습니다.
  • 주파수 범위. 20~20000Hz까지 다양합니다.
  • 비선형 왜곡 인자. 여기에서는 모든 것이 간단합니다. 적을수록 좋습니다. 전문가에 따르면 이상적인 가치는 0.1%입니다.
  • 신호 대 잡음비. 현대 기술에서는 이 표시기의 값을 100dB 이상으로 가정하여 청취 시 외부 소음을 최소화합니다.
  • 덤핑 팩터. 공칭 부하 임피던스와 관련하여 증폭기의 출력 임피던스를 반영합니다. 즉, 충분한 감쇠계수(100 이상)는 장비 등의 불필요한 진동 발생을 줄여줍니다.

기억할 것: 만들기 품질 증폭기- 각각 노동 집약적이고 첨단 기술 공정 저렴한 가격~에 괜찮은 특성당신에게 경고해야합니다.

분류

다양한 시장 제안을 이해하려면 다양한 기준에 따라 제품을 구별할 필요가 있습니다. 증폭기는 다음과 같이 분류될 수 있습니다.

  • 힘으로. 예비는 음원과 최종 전력 증폭기 사이의 일종의 중간 링크입니다. 전력 증폭기는 출력 신호의 강도와 볼륨을 담당합니다. 그들은 함께 완전한 증폭기를 형성합니다.

중요: 기본 변환 및 신호 처리는 프리앰프에서 수행됩니다.

  • 요소 기반을 기반으로 튜브, 트랜지스터 및 통합 정신이 있습니다. 후자는 처음 두 가지의 장점을 결합하고 단점(예: 진공관 증폭기의 음질 및 트랜지스터 증폭기의 소형화)을 최소화하려는 목적으로 탄생했습니다.
  • 작동 모드에 따라 증폭기는 클래스로 구분됩니다. 주요 클래스는 A, B, AB입니다. 클래스 A 앰프가 많은 전력을 사용하지만 고품질 사운드를 생성하는 경우 클래스 B 앰프는 정반대이며 클래스 AB는 신호 품질과 상당히 높은 효율성 사이의 절충안을 나타내는 최적의 선택인 것 같습니다. 디지털 기술의 사용으로 인해 발생한 클래스 C, D, H 및 G도 있습니다. 출력단에는 단일 사이클 및 푸시풀 작동 모드도 있습니다.
  • 채널 수에 따라 앰프는 단일, 이중 및 다중 채널이 될 수 있습니다. 후자는 볼륨 있고 사실적인 사운드를 생성하기 위해 홈 시어터에서 적극적으로 사용됩니다. 대부분 오른쪽 및 왼쪽 오디오 시스템에 각각 2채널이 있습니다.

주의: 구매의 기술적 구성 요소를 연구하는 것은 물론 필요하지만 종종 결정적인 요소는 단순히 소리가 나는지 여부에 따라 장비를 듣는 것입니다.

애플리케이션

앰프 선택은 주로 구매 목적에 따라 정당화됩니다. 오디오 증폭기의 주요 사용 영역을 나열합니다.

  1. 홈 오디오 시스템의 일부로. 그것은 분명하다 최선의 선택튜브 2채널 단일 종단 클래스 A입니다. 최적의 선택 3채널 클래스 AB를 구성할 수 있으며, 여기서 한 채널은 Hi-Fi 기능을 갖춘 서브우퍼용으로 지정됩니다.
  2. 자동차 오디오 시스템용. 가장 인기 있는 것은 구매자의 재정 능력에 따라 4채널 AB 또는 D 클래스 앰프입니다. 또한 자동차에는 원활한 주파수 제어를 위한 크로스오버 기능이 필요하므로 필요에 따라 높거나 낮은 범위의 주파수를 차단할 수 있습니다.
  3. 콘서트 장비에서. 전문 장비의 품질과 기능은 당연히 더 까다롭습니다. 높은 요구 사항유통 공간이 넓기 때문에 소리 신호, 사용 강도와 지속 기간에 대한 요구도 높습니다. 따라서 전력 한계(선언된 것의 70-80%)에서 거의 작동할 수 있는 클래스 D 이상의 증폭기를 구입하는 것이 좋습니다. 가급적이면 부정적인 것으로부터 보호하는 첨단 소재로 만들어진 하우징에 넣어야 합니다. 기상 조건 및 기계적 영향.
  4. 스튜디오 장비. 위의 모든 사항은 스튜디오 장비에도 적용됩니다. 가정용 증폭기의 20Hz~20kHz에 비해 가장 큰 주파수 재생 범위인 10Hz~100kHz를 추가할 수 있습니다. 또한 주목할만한 점은 서로 다른 채널의 볼륨을 개별적으로 조정하는 기능입니다.

따라서 깨끗하고 고품질의 사운드를 오랫동안 즐기려면 다양한 제안을 미리 조사하고 요구 사항에 가장 적합한 오디오 장비 옵션을 선택하는 것이 좋습니다.

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어느 날 저녁 지인이 나에게 전화를 걸어 이렇게 말했습니다. “에드! 더 큰 헤드폰 앰프가 필요해요 Sven”

그는 50 UAH에 헤드폰을 구입했지만 컴퓨터 출력이 매우 약했습니다. 생각 끝에 마이크로 회로가 없다는 것을 알았고 아카이브를 뒤져 어딘가에 KT315 트랜지스터가있는 회로가있는 것을 보았습니다. 그것이 어디서 왔는지는 기억나지 않지만 그 계획이 효과가 있다는 것은 기억합니다. 모아서 이렇게 얻었습니다

다음은 이 장치의 다이어그램입니다.

하네스에는 다음 부품을 사용했습니다.

C1 = 1mF 6V
C2 = 470mF 16V
C3 = 3300mF 16V

R1 = 1,000
R2 = 51,000
R3 = 100,000
R4 = 100,000
R5 = 1,000
R6 = 3천

장치에는 구성이 필요하지 않습니다. 대기 전류는 25mA이고 출력 트랜지스터 사이의 전압은 2.4V입니다. 앰프는 9V 배터리로 구동됩니다.

이 계획은 간단하고 보편적이므로 초보자라도 반복할 수 있습니다.

이 모든 것을 브레드보드에 조립했습니다. 더 이상 사진을 찍을 기회가 없습니다. 친구가 실수로 이 장치를 헤드폰과 함께 우물에 빠뜨렸기 때문에 새 앰프를 만들고 싶지 않고 지금 다른 프로젝트를 진행 중입니다.
기억에 따르면 앰프는 잘 작동했습니다. 소리는 부드럽고 기분 좋습니다. 배터리는 15시간 동안 지속됐다.


KT315의 단순 증폭기 인쇄회로기판(트랙에서 본 모습)

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그림 1은 반전 증폭기의 회로를 보여줍니다. 직류, 트랜지스터는 공통 이미 터 회로에 따라 연결됩니다.

그림 1 - KT315B의 DC 증폭기 회로

회로 요소의 계산을 고려해 봅시다. 회로가 5V 전압의 소스로부터 전력을 공급받는다고 가정해 보겠습니다(예를 들어 네트워크 어댑터), 선택한 트랜지스터의 최대 허용 전류를 초과하지 않도록 트랜지스터 VT1의 콜렉터 전류 Ik를 선택합니다(KT315B의 경우 최대 콜렉터 전류 Ikmax = 100mA). Ik=5mA를 선택하겠습니다. 저항 Rk의 저항을 계산하려면 공급 전압 Up을 컬렉터 전류로 나눕니다.

저항이 표준 저항 계열에 포함되지 않으면 가장 가까운 값을 선택하고 컬렉터 전류를 다시 계산해야 합니다.
()

출력 전류-전압 특성 계열을 사용하여 Up 및 Ik 지점(빨간색으로 표시)을 따라 부하 라인을 구성합니다. 부하선에서 중앙의 작동점(파란색으로 표시)을 선택합니다.

그림 2 - 출력 전류-전압 특성, 부하 라인 및 작동 지점

그림 2에서 동작점은 사용 가능한 어떤 특성에도 속하지 않지만 베이스 전류 Ib = 0.05mA의 특성보다 약간 낮으므로 베이스 전류를 조금 더 적게 선택합니다(예: Ib = 0.03mA). 선택된 베이스 전류 Ib와 온도 25°C 및 전압 Uke = 0에 대한 입력 특성을 사용하여 전압 Ube를 찾습니다.

그림 3 - 전압 Ube 선택을 위한 트랜지스터의 입력 특성


베이스 전류 Ib = 0.03mA의 경우 전압 Ube를 찾지만 Uke>0이므로 조금 더 선택하고 특성은 오른쪽에 위치합니다. 예를 들어 Ube = 0.8V를 선택합니다. 다음으로 저항 전류 Rd1을 선택합니다. 이 전류는 기본 전류보다 커야 하지만 대부분의 전력이 손실될 정도로 커서는 안 됩니다. 이 전류를 기본 전류보다 3배 더 크게 선택합니다.


Kirchhoff의 첫 번째 법칙을 사용하여 저항 전류 Rd2를 찾습니다.

다이어그램에서 발견된 전류와 전압을 지정해 보겠습니다.

그림 4 - 발견된 분기 전류 및 노드 전압이 있는 증폭기 회로

저항 Rd1의 저항을 계산하고 표준 저항 계열에서 가장 가까운 값을 선택해 보겠습니다.


저항 Rd2의 저항을 계산하고 표준 저항 계열에서 가장 가까운 값을 선택해 보겠습니다.


다이어그램에서 저항 저항을 지정해 보겠습니다.

그림 5 - KT315B의 DC 증폭기.

계산은 대략적이므로 회로를 조립하고 출력 전압을 확인한 후 요소를 선택해야 할 수 있으며, 이 경우 출력 전압이 선택한 전압 Ube에 가깝도록 요소 Rd1 및/또는 Rd2를 선택해야 합니다.

교류 전류를 증폭하려면 증폭된 신호의 가변 구성 요소만 전달하도록 커패시터를 입력 및 출력에 배치해야 합니다. 상수 구성 요소가 트랜지스터의 작동 모드를 변경하기 때문입니다. 입력 및 출력의 커패시터는 교류 전류 흐름에 대해 많은 저항을 생성해서는 안 됩니다. 열 안정화를 위해 이미터 회로에 저항이 작은 저항을 배치하고 이와 병렬로 커패시터를 배치하여 피드백을 약화시킬 수 있습니다. 교류. 이미터 회로의 저항은 분배 저항과 함께 트랜지스터의 작동 모드를 설정합니다.

아래 사진은 그림 2의 회로에 따라 조립된 증폭기를 보여줍니다.

증폭기 입력에는 전압이 인가되지 않으며 출력에 연결된 전압계에는 선택한 값에 가까운 2.6V가 표시됩니다. 그림 5와 같이 입력에 정상 극성의 전압을 적용하면 출력 전압이 감소합니다(증폭기가 신호를 반전함).

입력에 역극성 전압을 적용하면 출력 전압은 증가하지만 공급 전압보다 크지는 않습니다.

소스 입력에 연결된 경우 입력 전압 감소는 출력 전압 증가보다 작습니다. 이는 입력 신호가 반전 증폭되고 있음을 나타냅니다. 공통 이미터 회로는 공통 베이스 공통 이미터 회로보다 더 큰 전력 증폭을 생성하지만 다른 두 회로와는 달리 신호 반전을 생성합니다. 반전 없이 DC 전력을 증폭해야 하는 경우 그림 5의 두 회로를 계단식으로 연결할 수 있지만 첫 번째 단계가 두 번째 단계 트랜지스터의 작동 모드를 변경하므로 저항이 변경된다는 점을 고려해야 합니다. 두 번째 단계의 저항은 이러한 변경이 가능한 한 적게 선택되어야 합니다. 또한 캐스케이드 연결을 사용하면 전체 앰프의 게인이 증가합니다(첫 번째 단계 게인과 두 번째 단계 게인의 곱과 동일함).